دانلود فایل با شمار فاکتور
لطفا شماره فاکتور خود را درج نمایید
جدیدترین لغات واژه‌نامه
کشورهای شمال اروپا
آتش سوزی های جنگلی
دوسویه
نادیده گرفتن، دست انداخ
اجتناب ناپذیر، بی شفقت،
آمار بازدیدکنندگان
بازدید امروز :8
بازدید روز گذشته :62
بازدید این هفته :253
بازدید این ماه :116
مجموع آمار بازدید ها :801410
بازدید روز گذشته :62
بازدید این هفته :253
بازدید این ماه :116
مجموع آمار بازدید ها :801410
عنوان محصول: مدل سازی سه بعدی مبتنی بر پیوستگی جریان برای شکل دادن به حامل STM دستگاههای نیمه هادی
|
توضیحات مختصر:
مدل سازی سه بعدی فعلی مبتنی بر پیوستگی جریان برای شکل دادن به حامل STM دستگاه¬های نیمه هادی برای اولین بار امکان پذیر شده است. جریان تونل بین میله پتانسیل و تجهیزات، به طور مداوم با در نظر گرفتن تداوم جریان حل می شود. کاملا آشکار است که جریان تونل در مدل پیوستگی جریان، تحت شرایط تخلیه کاهش می یابد....
|
| مدل سازی سه بعدی مبتنی بر پیوستگی جریان برای شکل دادن به حامل STM دستگاههای نیمه هادی |
قیمت : 25000 تومان
تخفیف: 3000 تومان
تخفیف ویژه : 10 درصد
قیمت نهایی: 19500 تومان
548 بازدید
کد مقاله: TTC-
3088
نوع فایل : docx
خرید و دانلود
لینک دانلود فایل خریداری شده بلافاصله بعد از خرید موفق فعال خواهد شد.
Abstract
Current continuity based 3D modeling of STM carrier profiling of semiconductor devices is achieved for the first time. Tunnel currents between probe tip and devices are solved consistently with current continuity consideration. It is revealed that tunnel current is reduced in current continuity model under depletion conditions. Spatial resolution achieved in the model is discussed in comparison to potential based modeling. Influence of discrete dopants is also discussed in concern with Coulomb potential fluctuations in nanoscale systems, which is a key issue of nano devices.
چکیده
مدل سازی سه بعدی فعلی مبتنی بر پیوستگی جریان برای شکل دادن به حامل STM دستگاه¬های نیمه هادی برای اولین بار امکان پذیر شده است. جریان تونل بین میله پتانسیل و تجهیزات، به طور مداوم با در نظر گرفتن تداوم جریان حل می شود. کاملا آشکار است که جریان تونل در مدل پیوستگی جریان، تحت شرایط تخلیه کاهش می یابد. مقدار دقت به دست آمده در این مدل با مدلسازی مبتنی بر پتانسیل مقایسه میشود. علاوه بر این تاثیر دوپینگ گسسته در نوسانات پتانسیل کولن در سیستم هایی با مقیاس نانو مورد مطالعه قرار می گیرد، که مشکل کلیدی در تجهیزات نانو است.
تعداد صفحات انگلیسی:
تعداد صفحات فـارسـی:
- آدرس: تبریز، آبرسان، مهرگان چهارم
- تلفن تماس: 09016347107
- تلفن ثابت : 35250068-041
- Mailttcenterاین آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید : آدرس ایمیل
- @zoodyab :آدرس تلگرام
مرکز تخصصی تلاش ترجمه از سال 1385 شروع به کار نموده است و تا کنون بیش از ده هزار ترجمه در رشته ها و زمینه های مختلف توسط متخصصین این مرکز انجام شده است.
تمامی ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تخصصی تلاش ترجمه، به صورت دستی (غیرماشینی) بوده و توسط مترجمین با سابقه انجام می‌شوند. ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تلاش ترجمه در قالب فایل Word و به صورت کاملا روان و بازخوانی شده و با ضمانت بازگشت وجه 72 ساعته (در صورت عدم رضایت از ترجمه) خدمت مشتریان محترم ارائه میشود.