دانلود فایل با شمار فاکتور
لطفا شماره فاکتور خود را درج نمایید
جدیدترین لغات واژه‌نامه
کشورهای شمال اروپا
آتش سوزی های جنگلی
دوسویه
نادیده گرفتن، دست انداخ
اجتناب ناپذیر، بی شفقت،
آمار بازدیدکنندگان
بازدید امروز :9
بازدید روز گذشته :62
بازدید این هفته :254
بازدید این ماه :117
مجموع آمار بازدید ها :801411
بازدید روز گذشته :62
بازدید این هفته :254
بازدید این ماه :117
مجموع آمار بازدید ها :801411
عنوان محصول: بررسی ناخالص سازی کانال درجه بندی شده عمودی در SOI-MOSFET های کاملاً تخلیه شده در مقیاس نانو
|
توضیحات مختصر:
برای به دست آوردن یک ترانزیستور قابل اطمینان، ما یک رویه مهندسی ناخالص سازی کانال بهبود یافته (ACD) ارائه می‌کنیم که کارایی دمایی و الکترونیکی ماسفت های سیلیکون بر عایق کاملاً تخلیه شده (MOSFET SOI) را بهبود می‌دهیم. ما ساختار پیشنهادی با تکنولوژی ناخالص سازی کانال اصلاح شده را به صورت ساختار ACD-SO...
|
| بررسی ناخالص سازی کانال درجه بندی شده عمودی در SOI-MOSFET های کاملاً تخلیه شده در مقیاس نانو |
قیمت : 32000 تومان
تخفیف ویژه : 10 درصد
قیمت نهایی: 28800 تومان
499 بازدید
کد مقاله: TTC-
3340
نوع فایل : docx
خرید و دانلود
لینک دانلود فایل خریداری شده بلافاصله بعد از خرید موفق فعال خواهد شد.
Abstract
For achieving reliable transistor, we investigate an amended channel doping (ACD) engineering
which improves the electrical and thermal performances of fully-depleted siliconon-
insulator (SOI) MOSFET. We have called the proposed structure with the amended
channel doping engineering as ACD-SOI structure and compared it with a conventional
fully-depleted SOI MOSFET (C-SOI) with uniform doping distribution using 2-D ATLAS
simulator. The amended channel doping is a vertical graded doping that is distributed from
the surface of structure with high doping density to the bottom of channel, near the buried
oxide, with low doping density. Short channel effects (SCEs) and leakage current suppress
due to high barrier height near the source region and electric field modification in the
ACD-SOI in comparison with the C-SOI structure. Furthermore, by lower electric field and
electron temperature near the drain region that is the place of hot carrier generation, we
except the improvement of reliability and gate induced drain lowering (GIDL) in the
proposed structure. Undesirable Self heating effect (SHE) that become a critical challenge
for SOI MOSFETs is alleviated in the ACD-SOI structure because of utilizing low doping
density near the buried oxide. Thus, refer to accessible results, the ACD-SOI structure with
graded distribution in vertical direction is a reliable device especially in low power and
high temperature applications.
چکیده
برای به دست آوردن یک ترانزیستور قابل اطمینان، ما یک رویه مهندسی ناخالص سازی کانال بهبود یافته (ACD) ارائه می‌کنیم که کارایی دمایی و الکترونیکی ماسفت های سیلیکون بر عایق کاملاً تخلیه شده (MOSFET SOI) را بهبود می‌دهیم. ما ساختار پیشنهادی با تکنولوژی ناخالص سازی کانال اصلاح شده را به صورت ساختار ACD-SOI نام گذاری می‌کنیم و آن را با SOI MOSFET (C-SOI) کاملاً تخلیه شده سنتی با توزیع ناخالصی یکنواخت، توسط شبیه ساز ATLAS دو بعدی مقایسه می‌کنیم. رویکرد ناخالص سازی کانال پیشنهادی یک رویه ناخالص سازی درجه بندی شده عمودی است که میزان ناخالصی از سطح ساختار با تراکم بالای شروع شده و تا انتهای کانال با مقدار ناخالصی کمتر توزیع میشود. تاثیرات کانال کوتاه (SCEs) و جریان نشتی، به دلیل سطح بالای عایق موجود در نزدیکی منطقه منبع و کاهش میدان الکتریکی در ACD-SOI در مقایسه با ساختار C-SOI مشهود هستند. علاوه بر این، در کنار سطح پایینی از میدان الکتریکی و دمای الکترون کم در نزدیکی منطقه درین که ناحیه تولید کننده حامل گرم است، ما انتظار داریم که بهبود قابلیت اطمینان و کاهش سطح درین القا شده گیت (GIDL) در روش پیشنهادی به اندازه قابل توجهی مشخص باشد. تأثیر خودگرمایشی ناخواسته (SHE) که یک چالش مهم برای SOI MOSFET ها است، در ساختار ACD-SOI کاهش داده میشود، زیرا از حجم ناخالصی پایین در کنار اکسید مدفون استفاده میشود. از این رو، نتایج قابل قبولی ایجاد میشود و با مراجعه به آنها مشخص میشود که ساختار ACD-SOI با توزیع درجه بندی شده در محور عمودی یک ابزار قابل اطمینان به ویژه در سطح قدرت کم و کاربردهای دمایی بالا است.
تعداد صفحات انگلیسی:
تعداد صفحات فـارسـی:
- آدرس: تبریز، آبرسان، مهرگان چهارم
- تلفن تماس: 09016347107
- تلفن ثابت : 35250068-041
- Mailttcenterاین آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید : آدرس ایمیل
- @zoodyab :آدرس تلگرام
مرکز تخصصی تلاش ترجمه از سال 1385 شروع به کار نموده است و تا کنون بیش از ده هزار ترجمه در رشته ها و زمینه های مختلف توسط متخصصین این مرکز انجام شده است.
تمامی ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تخصصی تلاش ترجمه، به صورت دستی (غیرماشینی) بوده و توسط مترجمین با سابقه انجام می‌شوند. ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تلاش ترجمه در قالب فایل Word و به صورت کاملا روان و بازخوانی شده و با ضمانت بازگشت وجه 72 ساعته (در صورت عدم رضایت از ترجمه) خدمت مشتریان محترم ارائه میشود.