دانلود فایل با شمار فاکتور
لطفا شماره فاکتور خود را درج نمایید
جدیدترین لغات واژه‌نامه
آمار بازدیدکنندگان
بازدید روز گذشته :216
بازدید این هفته :283
بازدید این ماه :283
مجموع آمار بازدید ها :827926
عنوان محصول: تصویرسازی نقص های کریستالی در سیلیکون، بعنوان یک علت نشت الکتریکی در وسایل نیمه رسانا
|
توضیحات مختصر:
آشکارسازی نشت الکتریکی در تجهیزات نمیه رساناها، نشان دهنده وجود مسیر های الکتریکی بین پیوندگاه P- دوپه شده و N- دوپه شده سیلیکونی است. به شرطی که هیچ ناهنجاری فیزکی دیگری مشاهده نشود. این مقاله استفاده از ابزارهای تحلیل خطا برای شناسایی دقیق و به تصویر کشیدن خطاهای کریستالی در سیلیکون، که به علت... |
| تصویرسازی نقص های کریستالی در سیلیکون، بعنوان یک علت نشت الکتریکی در وسایل نیمه رسانا |
قیمت : 23000 تومان
تخفیف: 1000 تومان
تخفیف ویژه : 10 درصد
قیمت نهایی: 19700 تومان
خرید و دانلودDetection of electrical leakage in semiconductor devices indicates presence of electrical paths between junctions of p-doped and n-doped silicon, if no other physical abnormality is observed. This paper describes the use of advanced failure analysis tools to precisely locate and visualize crystalline defects in silicon that have caused electrical failure.
آشکارسازی نشت الکتریکی در تجهیزات نمیه رساناها، نشان دهنده وجود مسیر های الکتریکی بین پیوندگاه P- دوپه شده و N- دوپه شده سیلیکونی است. به شرطی که هیچ ناهنجاری فیزکی دیگری مشاهده نشود. این مقاله استفاده از ابزارهای تحلیل خطا برای شناسایی دقیق و به تصویر کشیدن خطاهای کریستالی در سیلیکون، که به علت خطاهای الکتریکی ایجاد می¬شوند را توضیح میدهد.
تعداد صفحات انگلیسی:
تعداد صفحات فـارسـی:
تمامی ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تخصصی تلاش ترجمه، به صورت دستی (غیرماشینی) بوده و توسط مترجمین با سابقه انجام می‌شوند. ترجمه‌های انجام شده توسط موسسه تلاش ترجمه در قالب فایل Word و به صورت کاملا روان و بازخوانی شده و با ضمانت بازگشت وجه 72 ساعته (در صورت عدم رضایت از ترجمه) خدمت مشتریان محترم ارائه می‌شود.